离子源：液态Ga离子源； 金属沉积系统：可沉积W，C、绝缘体(TEOS)； 电子束系统： SE/BSE探测器； 五轴驱动马达样品台；真空转移样品杆； 全自动TEM样品纳米机械手； 高分辨EDS能谱系统； 高性能EBSD系统。

可对金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体材料进行微纳加工，高质量定点TEM样品制备。离子束刻蚀、离子束沉积、电子束沉积；高分辨扫描电镜功能可对离子束微纳加工样品进行实时观测；在样品转移过程中，真空转移样品杆能够有效隔离样品和外界气体的接触，避免气氛中的污染物对样品的影响。

离子束系统： 加速电压：0.5-30kV；束流强度：1pA-100nA；分辨率：2.5nm@30kV；

电子束系统： 配有单色器； 加速电压：20V-30kV； 束流强度：0.8pA-100nA；分辨率：0.6nm@15 kV；0.9nm@1 kV